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毛宏颖副教授在Physical Chemistry Chemical Physics上发表学术论文

来源 : 理学院     作者 : 理学院     时间 : 2020-05-12  访问量 : 385

近日,我院物理系毛宏颖副教授与浙江大学材料系吕斌副教授合作在Physical Chemistry Chemical PhysicsIF = 3.567发表题为Enhanced Photoresponse of Epitaxially Grown ZnO by MoO3 Surface Functionalization”的学术论文。作者利用MoO3薄膜可控功能化外延生长ZnO并探索表面修饰后光电探测器器件性能改善的物理机制。研究结果表明,当在外延生长ZnO薄膜表面沉积MoO3薄膜后,由于界面处自发的电荷转移(电子从ZnO转移至MoO3),在ZnO/ MoO3界面处存在由ZnO指向MoO3的内建电场。在紫外光的照射下,此内建电场会促进ZnO体内的光生电子-空穴对的分离。此外,利用MoO3薄膜对外延生长ZnO进行表面修饰后,在ZnO的带隙中存在与MoO3相关的带间态(gap states),这些带间态的存在会大大提升光照条件下ZnO体内电子从价带顶跃迁至导带底的几率。在这些因素的共同作用下,MoO3表面修饰后的ZnO具有更好的光电响应,光电探测器性能也得到优化。外,毛宏颖副教授还参与研究了MoO3面修饰SnS2光电探测器器件性能的影响,相关成果发表于Advanced Optical Materials 1901971 (2020) (IF = 7.125)

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 ZnO器件MoO3修饰前后(a)在350 nm紫外光照射下的I-V特性曲线(b)光电流随时间的变化曲线


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