时间：3月29日（周三） 下午15:00
地点：20-518
报告摘要：近年来，拓扑材料由于其独特的物理性质以及深刻的理论内涵受到科研工作者的广泛关注。本报告中我将详细介绍Ta2M3Te5 (M=Pd,Ni)单层中拓扑物态的相关工作。(1)通过第一性原理计算以及拓扑能带分析，提出了Ta2Pd3Te5单层为量子自旋霍尔效应绝缘体。发现能带反转来源于费米面附近的Ta-5d和Pd-4d轨道，并且该反转不需要自旋轨道耦合。(2)提出了Ta2Ni3Te5单层是四极矩高阶拓扑绝缘体。并通过能带表示发现其拓扑性质来源于双重能带反转导致的Ag@4e能带表示。
个人简介：郭照芃，本科毕业于南京大学物理学院，获得理学学士学位，2015-2020年在南京大学物理学院硕博连读，获得博士学位。现为中国科学院物理研究所博士后。目前的主要研究方向为高压下的结构相变，磁性材料以及低维系统中的拓扑性质等。
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