时间：10月27日（周五）上午9:45

地点：勤园20-518

报告摘要：

石墨烯具有超高的载流子迁移率及良好的导热性能，是半导体行业寄予厚望的优良材料。但是由于石墨烯是零带隙材料，无法直接用于类似晶体管这样的电子器件。为了能够打开石墨烯的带隙，研究者通过“自上而下”的方法将石墨烯裁剪成石墨烯纳米带，石墨烯纳米片、纳米孔状石墨烯等结构可以引入带隙，但是这种无法精确控制材料的微观结构，当结构非常小时，会很大程度上破会其物理性质。为此一种“自下而上”的表面合成方法问世，研究者通过设计合理的前驱分子，让其在衬底表面发生化学反应，可以在原子精度上实现对类石墨烯的碳纳米结构在尺寸、形态和化学组成上的调控，从而实现对其物理性质的调控。本报告中，我们通过设计合理的前驱分子，使在Au(111)和Ag(111)表面发生乌尔曼反应，从而在表面合成了具有半导体性质的纳米孔状石墨烯和石墨烯纳米带，并且利用扫描隧道显微镜(STM)对前驱分子、中间反应产物以及最终所得纳米孔状石墨烯和石墨烯纳米带进行形貌表征，在这过程中还发现了重要的不对成化学反应。除了碳纳米结构外，宽禁带半导体碳化硅具有宽的带隙，高的导热系数以及大的电子迁移率等优点，也是半导体行业非常具有应用前景的材料。但是碳化硅器件结构在高温加热后物理性能会发生巨大变化，为了在微观结构上了解这一现象的本质，我们利用STM对碳化硅在高温退火后的表面形貌结构进行详细研究，从实验上解释碳化硅器件结构性能发生变化的根本原因。

个人简介：

卢慧，现任浙江大学杭州国际科创中心技术开发专家（助理研究员）。2014年本科毕业于安徽师范大学物理学专业，2020年博士毕业于中国科学院大连化学物理研究所物理化学专业，导师为杨学明院士。主要研究方向是利用分子束外延技术 (MBE)和表面化学合成方法生长低维材料，并应用扫描隧道显微镜技术研究其物理和化学性质。目前发表论文7篇（1作5篇，其中JCR 1区2篇，2区两篇），授权专利3个（均为第一发明人）。