时间：6月7日（周五）13:30 – 15:00

地点：勤园20-518

报告摘要：

当前硅基集成电路产业面临着晶体管尺寸接近物理极限以及运算能力受限于“冯·若依曼”架构存算分离所带来的巨大挑战，导致芯片的算力与能效提升变得越来越困难。探寻新材料体系、新器件结构、以及新计算架构有望在“后摩尔时代”突破硅基芯片的算力与能效瓶颈。二维原子层材料在垂直方向上具有极限物理尺寸，并且拥有独特的能带和电子结构，被认为是延续“摩尔定律”至2 nm以下晶体管工艺节点的最佳沟道候选材料之一。另外一方面，受大脑启发，基于二维存储器与神经形态器件的类脑存算一体架构成为突破“冯·若依曼”瓶颈的最有潜力的技术路线之一。本报告将从二维晶体管及其神经形态器件发展所面临的问题与挑战出发，探索器件的界面优化手法，重点介绍通过表面电荷转移掺杂工艺（SCTD）原位优化二维沟道/上表面外界环境以及沟道/电极接触的表界面，以实现具有高电输运性能、高可靠性、低功耗的二维晶体管与逻辑器件。本报告也将探讨针对沟道/应变衬底界面的优化方案，阐明局域应变场调控二维晶体管中载流子输运与散射的物理机制。另一方面，本报告也将介绍近期在二维范德华界面工程神经形态器件方面的探索到感存算一体化架构与仿生神经网络的研究进展，并进一步探讨器件在人工神经网络、储备池计算、机器学习等领域的应用。

报告人简介：

向都，复旦大学芯片与系统前沿技术研究院青年研究员，博士生导师，国家海外优青项目获得者。2012年于兰州大学物理学基地班获学士学位，2015年于新加坡国立大学物理系获博士学位，随后在新加坡UMC半导体公司与新加坡国立大学物理系从事博士后工作，2020年加入复旦大学芯片院。主要研究领域是基于二维材料的新型电子信息器件与电路集成，近年来以第一/通讯作者在Nat. Nanotechnol.、 Nat. Electron.、Nat. Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.等国际主流期刊发表论文20余篇，他引2000余次。主持并参与科技部重点研发、自然科学基金委面上、青年项目、上海市扬帆计划等项目。荣获国家优秀自费留学生奖学金、上海市人才项目、复旦大学新工科人才计划等荣誉奖项。