报告时间：2020年11月19日（星期三）下午3:30–4:30

报告地点：勤园20号楼518

报告摘要：

单元素二维材料主要由从第Ⅲ主族到第Ⅵ主族的元素构成，相比于二元的二维材料，其单一的元素组成使其成为研究生长机理的理想模型；另一方面，其可控的表面结构是研究缺陷工程与表面功能化的理想模板；特别是其处于金属与非金属的过渡位置，赋予了其具有各类优异电学性质的同素异形结构。尽管已有大量的理论研究报道，但高质量、大面积的材料制备仍是制约其发展的一个难题。目前高质量的制备主要依靠超高真空环境下的分子束外延技术，制备出的材料具有极高的质量；同时通过选择和调控衬底及生长条件，可以实现二维材料的结构及性质调控。本报告将首先介绍单元素二维材料的结构与性质，然后详细阐述我们课题组在过去一段时间里通过调控衬底及界面性质所获得的各类二维材料，通过比较结构与性质的关系，总结元素周期表及相图在选择合理衬底制备二维材料方面的重要作用。

报告人简介：

牛天超，上海交通大学机械与工程学院长聘教轨副教授，2013年博士毕业于新加坡国立大学，长期从事基于分子束外延生长制备和扫描隧道显微镜表征的二维材料生长机理及表面功能化研究。以第一及通讯作者在包括Adv. Mater., J. Am. Chem. Soc., 和Adv. Funct. Mater.等期刊发表研究论文及综述30余篇，2018年获物理化学学报青年科学家奖。

参考文献：

1. Adv. Funct. Mater. 2020, DOI:10.1002/adfm.202006997；

2. Adv. Mater. 2019, DOI:10.1002/adma.201902606& 2020, DOI: 10.1002/adma.201906873；

3. ACS Nano 2020, DOI: 10.1021/acsnano.9b09588