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杨旭昕副教授与毛宏颖副教授(共同通讯)在国际著名期刊Applied Surface Science上发表学术论文

来源 : 物理学院     作者 : 黄和航     时间 : 2022-03-23  访问量 : 255

近日,我院杨旭昕副教授与毛宏颖副教授(共同通讯)合作在国际著名期刊Applied Surface ScienceIF = 6.7,中科院大类一区)发表题为“Enhanced Field Emission Properties of CsPbBr3 Films by Thermal Annealing and Surface Functionalization with Boron Nitride”的学术论文,论文第一作者为我院19级研究生周思含同学。采用双源共蒸发法在石墨衬底表面制备了CsPbBr3多晶薄膜并系统研究真空热处理与BN表面功能化对其场发射性能的影响。如图1a-b所示,经过150 oC真空热处理后,FE器件的开启电场与场增强因子分别由4.0 V μm-1和2060变为3.375 V μm-1和2490; BN表面功能化能够进一步优化器件性能,开启电场与场增强因子分别为2.875 V μm-1和2518。FE器件性能优化的原因包括真空热处理后电子发射尖端密度的增加(图1c-d)与BN表面功能化导致的CsPbBr3的N型掺杂(图1e-f)。我们的研究结果表明经过真空热处理及BN表面功能化后,CsPbBr3薄膜具有与传统场发射材料相似甚至更优异的场发射性能。

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图1. CsPbBr3薄膜150 oC热处理前后及BN表面功能化后(a)J - E曲线,(b)开启电场、场增强因子变化规律;(c)和(d)150 oC热处理前后CsPbBr3薄膜AFM图片;CsPbBr3薄膜(d)Pb 4f和(e)Br 3d XPS能谱。

附论文:杨旭昕、毛宏颖 (物理学院)Applied Surface Science ------Enhanced Field Emission Properties of CsPbBr3 Films by Thermal Annealing and Surface Functionalization with Boron Nitride


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